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除了这些沉积SnO2电极的方法外，本P备技还有许多研究通过表面钝化来减少界面复合损失，通过掺杂来控制能级和增加电荷传输。这种钙钛矿和ETL之间的中间层降低了界面电荷复合损失和接触电阻，水关术及从而实现了功率转换效率为25.8%的PSC。

键材举行SnCl2·2H2O在FTO基体上包覆的SnO2层中残留了大量Cl-离子。在无涂覆Cl-离子钙钛矿前驱体溶液并在120℃退火的Cl-bSO中，料制Sn-Cl峰向更高的R空间方向移动了0.3Å，对应于Sn-Ⅰ键的部分形成。研究发现，其制氢钙钛矿前驱体中含有大量的Cl-离子，导致钙钛矿与ETL电极之间的界面存在大量的Cl-离子。

用示基于实验和理论值为每个组件的n-i-p结构也显示出来。范项用长的有机盐钝化钙钛矿表面已被证明大幅度减少空穴传输层(HTL)与FAPbI3钙钛矿之间的界面缺陷。

目启图4c所示为性能最好的PSCs之一在器件表面贴有增透膜的反向和正向偏压扫频的电流密度-电压(J-V)特性。

在反向和正向扫描模式下，低成电解动J-V曲线得到的功率转换效率分别为25.83%和25.65%，表明两种模式之间的迟滞性很小。ESI针对22个专业领域，本P备技通过论文数、本P备技论文被引频次、论文篇均被引频次、高被引论文、热点论文和前沿论文等6大指标，从各个角度对国家/地区科研水平、机构学术声誉、科学家学术影响力以及期刊学术水平进行全面衡量。

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